當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)
DF600R12IP4DV
IGBT 模(mu)塊(kuai)
DF100R07W1H5FPB54BPSA2
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) Easy 650V booster power module with IGBT TRENCHSTOP 5, CoolSiC Schottky diode Solder Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material.
DD1200S33K2C
IGBT 模(mu)塊(kuai) 3300V 1200A F/DIODE
DF300R12KE3
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 300A DUAL
DD800S33K2C
IGBT 模(mu)塊(kuai) 3300V 800A F/DIODE
DD400S33K2C
IGBT 模(mu)塊(kuai) 3300V 400A F/DIODE
DF75R12W1H4F_B11
DD600S65K3
IGBT 模(mu)塊(kuai) IGBT Module 600amps 6500V
DD250S65K3
DD400S33KL2C
IGBT 模(mu)塊(kuai) 3.3KV 400A
DF900R12IP4DV
DF900R12IP4D
IGBT 模(mu)塊(kuai) IGBT MODULES 1200V 900A
DD400S45KL3_B5
DF200R12KE3
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 200A DUAL
DDB6U134N16RR
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1600V 134A UN-CNTL
DZ800S17K3
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1.7KV 800A
DF80R12W2H3F_B11
DF300R07PE4_B6
IGBT 模(mu)塊(kuai) IGBT Module 300A 650V
DD200S33K2C
IGBT 模(mu)塊(kuai) 3300V 200A F/DIODE
DDB2U30N08VR
IGBT 模(mu)塊(kuai) N-CH 600V 25A
原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)
友(you)情(qing)鏈(lian)接(jie)
深(shen)圳(zhen)市(shi)宏(hong)欣(xin)微(wei)電(dian)子(zi)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)
原(yuan)廠(han)原(yuan)裝(zhuang)正(zheng)品(pin)，備(bei)大(dai)量(liang)庫(ku)存(cun)
7X24小(xiao)時(shi)詢(xun)價(jia)熱(re)線(xian)
0755-82572287
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