當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)
BC 858B E6327
雙極(ji)晶體管 - 雙極(ji)結型(xing)晶體管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
BSM200GB170DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1700V 200A DUAL
BSM100GD120DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 100A 3-PHASE
BSM400GA120DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 400A SINGLE
BSM35GP120G
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 35A PIM
BSM300GA120DLCS
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 300A SINGLE
BSM300GA120DLC
BSM75GP60
IGBT 模(mu)塊(kuai) 600V 75A PIM
BSM50GP60G
IGBT 模(mu)塊(kuai) 600V 50A PIM
BSM100GB120DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 100A DUAL
BSM200GA120DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 200A SINGLE
BSM200GA120DLCS
BSM75GD60DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 600V 75A 3-PHASE
BYM300A120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 300A F/DIODE
BSM50GD60DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 600V 50A 3-PHASE
BSM30GD60DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 600V 30A 3-PHASE
BFY64004PZZZA1
射頻(RF)雙極(ji)晶體管 HIREL
BSM35GB120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 35A DUAL
BSC016N03LSGXT
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSM400GA170DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1700V 400A SINGLE
原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)
友(you)情(qing)鏈(lian)接(jie)
深(shen)圳(zhen)市(shi)宏(hong)欣(xin)微(wei)電(dian)子(zi)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)
原(yuan)廠(han)原(yuan)裝(zhuang)正(zheng)品(pin)，備(bei)大(dai)量(liang)庫(ku)存(cun)
7X24小(xiao)時(shi)詢(xun)價(jia)熱(re)線(xian)
0755-82572287
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