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當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao) >> IPB017N08N5詳(xiang)細(xi)信(xin)息(xi)

IPB017N08N5相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)

SIDC09D60E6 UNSAWN

DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
SIDC09D60E6YX1SA1

DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
SIDC10D120H6X1SA5

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
SIDC110D170HX1SA2

DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER
SIDC11D60SIC3

DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
SIDC14D120E6X1SA4

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
SIDC14D120F6X1SA3

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
SIDC14D120H6X1SA1

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER

熱(re)銷(xiao)型(xing)號(hao)

AMS1117-3.3

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
SGM2034-1.8YN3G/TR

線(xian)性(xing)穩(wen)壓(ya)器(qi)(LDO)
74HC595D,118

移(yi)位(wei)寄(ji)存(cun)器(qi)
TLP290-4(GB-TP,E(T

晶(jing)體(ti)管(guan)輸(shu)出(chu)光(guang)耦(ou)
AD7606BSTZ-RL

ADC/DAC-專(zhuan)用(yong)型(xing)
ULN2803ADWR

達(da)林(lin)頓(dun)晶(jing)體(ti)管(guan)陣(zhen)列(lie)
SN74LVC1G06DCKR

反(fan)相(xiang)器(qi) 緩(huan)衝(chong)器(qi)/驅(qu)動(dong)器(qi)/收(shou)發(fa)器(qi)
STM32F103C8T6

單(shan)片(pian)機(ji)(MCU/MPU/SOC)

圖(tu)片(pian)僅(jin)供(gong)參(shen)考(kao)，請(qing)參(shen)考(kao)產(chan)品(pin)描(miao)述(shu)

IPB017N08N5

製(zhi)造(zao)商(shang)：Infineon Technologies

批(pi)號(hao)：19+

描(miao)述(shu)：MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2

PDF下(xia)載(zai)：

庫(ku)存(cun)數(shuo)量(liang)：2000+

優(you)勢(shi)價(jia)格(ge)，IPB017N08N5的(di)國(guo)內(nei)現(xian)貨(huo)當(dang)天(tian)可(ke)發(fa)貨(huo),國(guo)外(wai)現(xian)貨(huo)7-10天(tian)發(fa)貨(huo)可(ke)發(fa)貨(huo)。

購(gou)買(mai)、谘(zi)詢(xun)產(chan)品(pin)請(qing)填(tian)寫(xie)詢(xun)價(jia)信(xin)息(xi)

詢(xun)價(jia)型(xing)號(hao)*	數(shuo)量(liang)*	批(pi)號(hao)	封(feng)裝(zhuang)	品(pin)牌(pai)	其(qi)它(ta)要(yao)求(qiu)

請(qing)確(que)認(ren)聯(lian)係(ji)方(fang)式(shi)，3分(fen)鍾(zhong)內(nei)即(ji)可(ke)給(ji)您(nin)回(hui)複(fu)

*姓(xing)名(ming)：
*電(dian)話(hua)：
Q Q：
*郵(you)箱(xiang)：

詳(xiang)細(xi)參(shen)數(shuo)

製(zhi)造(zao)商(shang):Infineon
產(chan)品(pin)種(zhong)類(lei):MOSFET
RoHS:是(shi)
技(ji)術(zhu):Si
安(an)裝(zhuang)風(feng)格(ge):SMD/SMT
封(feng)裝(zhuang) / 箱(xiang)體(ti):TO-263-3
通(tong)道(dao)數(shuo)量(liang):1 Channel
晶(jing)體(ti)管(guan)極(ji)性(xing):N-Channel
Vds-漏(lou)源(yuan)極(ji)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya):80 V
Id-連(lian)續(xu)漏(lou)極(ji)電(dian)流(liu):120 A
Rds On-漏(lou)源(yuan)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu):1.5 mOhms
Vgs th-柵(zha)源(yuan)極(ji)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya):2.2 V
Vgs - 柵(zha)極(ji)-源(yuan)極(ji)電(dian)壓(ya):20 V
Qg-柵(zha)極(ji)電(dian)荷(he):223 nC
最(zui)小(xiao)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):- 55 C
最(zui)大(dai)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo):+ 175 C
Pd-功(gong)率(shuai)耗(hao)散(san):375 W
配(pei)置(zhi):Single
通(tong)道(dao)模(mu)式(shi):Enhancement
商(shang)標(biao)名(ming):OptiMOS
封(feng)裝(zhuang):Cut Tape
封(feng)裝(zhuang):Reel
高(gao)度(duo):4.4 mm
長(zhang)度(duo):10 mm
係(ji)列(lie):OptiMOS 5
晶(jing)體(ti)管(guan)類(lei)型(xing):1 N-Channel
寬(kuan)度(duo):9.25 mm
商(shang)標(biao):Infineon Technologies
正(zheng)向(xiang)跨(kua)導(dao) - 最(zui)小(xiao)值(zhi):114 S
下(xia)降(xiang)時(shi)間(jian):37 ns
產(chan)品(pin)類(lei)型(xing):MOSFET
上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian):36 ns
工(gong)廠(han)包(bao)裝(zhuang)數(shuo)量(liang):1000
子(zi)類(lei)別(bie):MOSFETs
典(dian)型(xing)關(guan)閉(bi)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):102 ns
典(dian)型(xing)接(jie)通(tong)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian):40 ns
零(ling)件(jian)號(hao)別(bie)名(ming):IPB017N08N5ATMA1 SP001132472

其(qi)它(ta)信(xin)息(xi)

一(yi)級(ji)代(dai)理(li)商(shang)，大(dai)小(xiao)批(pi)量(liang)出(chu)貨(huo)，歡(huan)迎(ying)來(lai)詢(xun)

原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)

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