當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)
BCR 133 E6433
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 預(yu)偏(pian)置(zhi) NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 146 E6327
BCR 198 E6327
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 預(yu)偏(pian)置(zhi) PNP Silicon Digital TRANSISTOR
BC 847B E6433
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
BC 847C E6433
BC 848C E6327
BC848BE6327HTSA1
BSM300GA120DN2
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 300A SINGLE
BSM35GP120
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 35A PIM
BSM35GD120DN2E3224
IGBT 模(mu)塊(kuai) N-CH 1.2KV 50A
BDP949H6327XTSA1
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) AF TRANSISTORS
BCM 856S H6327
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 雙(shuang)極(ji)結(jie)型(xing)晶(jing)體(ti)管(guan)(BJT) AF TRANSISTOR
BCR 523 E6327
BC 847S H6433
BCR133E6327XT
雙(shuang)極(ji)晶(jing)體(ti)管(guan) - 預(yu)偏(pian)置(zhi) AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
BC856SH6327XTSA1
BCP5610H6327XTSA1
BSM50GB120DLC
IGBT 模(mu)塊(kuai) 1200V 50A DUAL
BCR108E6433HTMA1
BCR 135 E6433
原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)
友(you)情(qing)鏈(lian)接(jie)
深(shen)圳(zhen)市(shi)宏(hong)欣(xin)微(wei)電(dian)子(zi)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)
原(yuan)廠(han)原(yuan)裝(zhuang)正(zheng)品(pin)，備(bei)大(dai)量(liang)庫(ku)存(cun)
7X24小(xiao)時(shi)詢(xun)價(jia)熱(re)線(xian)
0755-82572287
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