1.Vishay宣(xuan)布(bu)重(chong)組(zu)計(ji)劃(hua)，關(guan)閉(bi)三(san)家(jia)製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)並(bing)裁(cai)員(yuan)

據(ju)快(kuai)科(ke)技(ji)消(xiao)息(xi)，美(mei)國(guo)分(fen)立(li)半(ban)導(dao)體(ti)和(hu)無(wu)源(yuan)元(yuan)件(jian)製(zhi)造(zao)商(shang)Vishay Intertechnology（威(wei)世(shi)科(ke)技(ji)）宣(xuan)布(bu)了(liao)重(chong)組(zu)計(ji)劃(hua)，包(bao)括(kuo)關(guan)閉(bi)三(san)家(jia)製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)和(hu)裁(cai)員(yuan)約(yao)800人(ren)。根(gen)據(ju)Vishay的(di)官(guan)方(fang)聲(sheng)明(ming)，被(bei)關(guan)閉(bi)的(di)工(gong)廠(han)包(bao)括(kuo)位(wei)於(yu)中(zhong)國(guo)上(shang)海(hai)的(di)二(er)極(ji)管(guan)封(feng)裝(zhuang)工(gong)廠(han)，以(yi)及(ji)位(wei)於(yu)德(de)國(guo)菲(fei)希(xi)特(te)爾(er)貝(bei)格(ge)和(hu)美(mei)國(guo)威(wei)斯(si)康(kang)星(xing)州(zhou)密(mi)爾(er)沃(wo)基(ji)的(di)兩(liang)家(jia)電(dian)阻(zu)器(qi)工(gong)廠(han)。

這(zhe)些(xie)工(gong)廠(han)的(di)關(guan)閉(bi)預(yu)計(ji)2026年(nian)底(di)完(wan)成(cheng)，生(sheng)產(chan)轉(zhuan)移(yi)將(qiang)於(yu)2025年(nian)第(di)四(si)季(ji)度(duo)開(kai)始(shi)。Vishay預(yu)計(ji)，此(ci)次(ci)重(chong)組(zu)將(qiang)產(chan)生(sheng)3800萬(mo)至(zhi)4200萬(mo)美(mei)元(yuan)的(di)稅(shui)前(qian)現(xian)金(jin)費(fei)用(yong)，主(zhu)要(yao)是(shi)由(you)於(yu)遣(qian)散(san)費(fei)，其(qi)中(zhong)大(dai)部(bu)分(fen)將(qiang)在(zai)2024年(nian)第(di)三(san)季(ji)度(duo)發(fa)生(sheng)。Vishay預(yu)計(ji)該(gai)計(ji)劃(hua)全(quan)麵(mian)實(shi)施(shi)後(hou)，年(nian)度(duo)成(cheng)本(ben)節(jie)省(xing)至(zhi)少(shao)2300萬(mo)美(mei)元(yuan)，立(li)即(ji)節(jie)省(xing)約(yao)900萬(mo)美(mei)元(yuan)，從(zong)2025年(nian)第(di)一(yi)季(ji)度(duo)開(kai)始(shi)再(zai)節(jie)省(xing)1200萬(mo)美(mei)元(yuan)。

2.美(mei)光(guang)2024財(cai)年(nian)營(ying)收(shou)251.11億(yi)美(mei)元(yuan)，大(dai)幅(fu)增(zeng)長(zhang)超(chao)6成(cheng)

存(cun)儲(chu)器(qi)原(yuan)廠(han)美(mei)光(guang)最(zui)新(xin)公(gong)布(bu)2024財(cai)年(nian)第(di)四(si)財(cai)季(ji)（截(jie)至(zhi)8月(yue)29日(ri)）和(hu)全(quan)財(cai)年(nian)財(cai)報(bao)。

第(di)四(si)財(cai)季(ji)按(an)照(zhao)GAAP計(ji)算(suan)，美(mei)光(guang)營(ying)收(shou)77.5億(yi)美(mei)元(yuan)，上(shang)財(cai)季(ji)為(wei)68.1億(yi)美(mei)元(yuan)，去(qu)年(nian)同(tong)期(qi)為(wei)40.1億(yi)美(mei)元(yuan)；毛(mao)利(li)率(shuai)35.3%，上(shang)一(yi)季(ji)度(duo)為(wei)26.9%，去(qu)年(nian)同(tong)期(qi)虧(kui)損(sun)。淨(jing)利(li)潤(run)8.87億(yi)美(mei)元(yuan)，上(shang)一(yi)季(ji)度(duo)為(wei)3.32億(yi)美(mei)元(yuan)，去(qu)年(nian)同(tong)期(qi)虧(kui)損(sun)14.3億(yi)美(mei)元(yuan)。

全(quan)財(cai)年(nian)按(an)照(zhao)GAAP計(ji)算(suan)，美(mei)光(guang)營(ying)收(shou)251.1億(yi)美(mei)元(yuan)，前(qian)一(yi)財(cai)年(nian)為(wei)155.4億(yi)美(mei)元(yuan)；毛(mao)利(li)率(shuai)22.4 %，前(qian)一(yi)財(cai)年(nian)虧(kui)損(sun)為(wei)負(fu)；淨(jing)利(li)潤(run)7.78億(yi)美(mei)元(yuan)，前(qian)一(yi)財(cai)年(nian)淨(jing)虧(kui)損(sun)58.33億(yi)美(mei)元(yuan)。

來(lai)源(yuan)：Micron

美(mei)光(guang)科(ke)技(ji)總(zong)裁(cai)兼(jian)首(shou)席(xi)執(zhi)行(hang)官(guan)Sanjay Mehrotra表(biao)示(shi)，由(you)於(yu)強(jiang)勁(jing)的(di)AI需(xu)求(qiu)推(tui)動(dong)了(liao)公(gong)司(si)數(shuo)據(ju)中(zhong)心(xin)DRAM和(hu)行(hang)業(ye)領(ling)先(xian)的(di)HBM強(jiang)勁(jing)增(zeng)長(zhang)，美(mei)光(guang)在(zai)第(di)四(si)財(cai)季(ji)實(shi)現(xian)了(liao)93%的(di)收(shou)入(ru)同(tong)比(bi)增(zeng)長(zhang)。NAND收(shou)入(ru)記(ji)錄(lu)是(shi)由(you)數(shuo)據(ju)中(zhong)心(xin)SSD銷(xiao)售(shou)所(suo)引(yin)領(ling)，季(ji)度(duo)收(shou)入(ru)首(shou)次(ci)超(chao)過(guo)10億(yi)美(mei)元(yuan)。以(yi)美(mei)光(guang)曆(li)史(shi)上(shang)最(zui)佳(jia)的(di)競(jing)爭(zheng)定(ding)位(wei)進(jin)入(ru)2025財(cai)年(nian)，預(yu)計(ji)美(mei)光(guang)第(di)一(yi)季(ji)度(duo)收(shou)入(ru)將(qiang)創(chuang)下(xia)曆(li)史(shi)新(xin)高(gao)，2025財(cai)年(nian)的(di)盈(ying)利(li)能(neng)力(li)將(qiang)大(dai)幅(fu)提(ti)高(gao)，收(shou)入(ru)將(qiang)創(chuang)紀(ji)錄(lu)。

3.兆(zhao)易(yi)創(chuang)新(xin)公(gong)布(bu)GD32A7係(ji)列(lie)全(quan)新(xin)一(yi)代(dai)車(ju)規(gui)級(ji)MCU

兆(zhao)易(yi)創(chuang)新(xin)在(zai)25日(ri)宣(xuan)布(bu)，重(chong)磅(bang)推(tui)出(chu)全(quan)新(xin)一(yi)代(dai)車(ju)規(gui)級(ji)MCU GD32A7係(ji)列(lie)。與(yu)上(shang)一(yi)代(dai)采(cai)用(yong)Arm Cortex-M4/M33的(di)產(chan)品(pin)相(xiang)比(bi)，GD32A7係(ji)列(lie)搭(da)載(zai)了(liao)超(chao)高(gao)性(xing)能(neng)Arm Cortex-M7內(nei)核(he)，提(ti)供(gong)GD32A71x/GD32A72x/GD32A74x等(deng)多(duo)款(kuan)型(xing)號(hao)供(gong)用(yong)戶(hu)選(xuan)擇(ze)。

GD32A71x/GD32A72x/GD32A74x係(ji)列(lie)車(ju)規(gui)級(ji)MCU分(fen)別(bie)支(zhi)持(chi)單(shan)核(he)、雙(shuang)核(he)、單(shan)核(he)鎖(suo)步(bu)三(san)種(zhong)選(xuan)項(xiang)，主(zhu)頻(pin)160MHz，算(suan)力(li)高(gao)達(da)763 DMIPS，並(bing)配(pei)備(bei)了(liao)最(zui)高(gao)4MB片(pian)上(shang)Flash和(hu)512KB SRAM，支(zhi)持(chi)雙(shuang)Flash BANK，可(ke)滿(man)足(ju)無(wu)縫(feng)OTA升(sheng)級(ji)需(xu)求(qiu)。芯(xin)片(pian)采(cai)用(yong)2.97-5.5V寬(kuan)電(dian)壓(ya)供(gong)電(dian)，能(neng)在(zai)-40℃~+125℃的(di)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo)範(fan)圍(wei)內(nei)穩(wen)定(ding)運(yun)行(hang)，符(fu)合(ge)AEC-Q100 Grade1標(biao)準(zhun)，工(gong)作(zuo)壽(shou)命(ming)15年(nian)以(yi)上(shang)，為(wei)係(ji)統(tong)安(an)全(quan)穩(wen)定(ding)運(yun)行(hang)築(zhu)牢(lao)硬(ying)件(jian)根(gen)基(ji)。

為(wei)滿(man)足(ju)多(duo)樣(yang)化(hua)的(di)車(ju)身(shen)、互(hu)聯(lian)和(hu)底(di)盤(pan)應(ying)用(yong)的(di)需(xu)求(qiu)，該(gai)係(ji)列(lie)產(chan)品(pin)集(ji)成(cheng)了(liao)豐(feng)富(fu)的(di)外(wai)設(she)接(jie)口(kou)，包(bao)含(han)6路(lu)SENT接(jie)口(kou)；8路(lu)CAN FD，12路(lu)LIN多(duo)路(lu)高(gao)速(su)車(ju)用(yong)總(zong)線(xian)接(jie)口(kou)；以(yi)及(ji)支(zhi)持(chi)AVB和(hu)TSN的(di)1x10/100Mbps以(yi)太(tai)網(wang)接(jie)口(kou)；此(ci)外(wai)，還(huan)提(ti)供(gong)8路(lu)SPI、1路(lu)Quad SPI、2路(lu)I2C等(deng)接(jie)口(kou)。

4.思(si)瑞(rui)浦(pu)推(tui)出(chu)17通(tong)道(dao)高(gao)精(jing)度(duo)電(dian)池(chi)管(guan)理(li)產(chan)品(pin)TPB76016

思(si)瑞(rui)浦(pu)3PEAK日(ri)前(qian)全(quan)新(xin)推(tui)出(chu)17通(tong)道(dao)高(gao)精(jing)度(duo)電(dian)池(chi)管(guan)理(li)產(chan)品(pin)TPB76016，內(nei)置(zhi)高(gao)精(jing)度(duo)基(ji)準(zhun)，工(gong)作(zuo)溫(wen)度(duo)支(zhi)持(chi)-40℃to+125℃，可(ke)廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)於(yu)動(dong)力(li)電(dian)池(chi)、儲(chu)能(neng)電(dian)池(chi)、以(yi)及(ji)其(qi)他(ta)消(xiao)費(fei)類(lei)電(dian)池(chi)的(di)BMS控(kong)製(zhi)板(pan)。

TPB76016具(ju)有(you)集(ji)成(cheng)電(dian)壓(ya)、電(dian)流(liu)、溫(wen)度(duo)在(zai)內(nei)的(di)多(duo)個(ge)保(bao)護(hu)功(gong)能(neng)，支(zhi)持(chi)使(shi)用(yong)內(nei)部(bu)溫(wen)度(duo)傳(zhuan)感(gan)器(qi)和(hu)多(duo)達(da)4個(ge)外(wai)部(bu)熱(re)敏(min)電(dian)阻(zu)進(jin)行(hang)溫(wen)度(duo)檢(jian)測(ce)，集(ji)成(cheng)可(ke)編(bian)程(cheng)存(cun)儲(chu)器(qi)供(gong)使(shi)用(yong)，集(ji)成(cheng)二(er)級(ji)化(hua)學(xue)熔(rong)斷(duan)器(qi)驅(qu)動(dong)保(bao)護(hu)，內(nei)置(zhi)均(jun)衡(heng)MOS，同(tong)時(shi)支(zhi)持(chi)外(wai)接(jie)均(jun)衡(heng)管(guan)均(jun)衡(heng)，以(yi)及(ji)1Mbps SPI通(tong)信(xin)接(jie)口(kou)等(deng)特(te)性(xing)。

5.SK海(hai)力(li)士(shi)率(shuai)先(xian)量(liang)產(chan)12層(ceng)堆(dui)疊(die)HBM3E

SK海(hai)力(li)士(shi)在(zai)26日(ri)宣(xuan)布(bu)，全(quan)球(qiu)率(shuai)先(xian)開(kai)始(shi)量(liang)產(chan)12層(ceng)HBM3E，實(shi)現(xian)了(liao)現(xian)有(you)HBM1產(chan)品(pin)中(zhong)最(zui)大(dai)2的(di)36GB容(rong)量(liang)。公(gong)司(si)將(qiang)在(zai)年(nian)內(nei)向(xiang)客(ke)戶(hu)提(ti)供(gong)此(ci)次(ci)產(chan)品(pin)，繼(ji)今(jin)年(nian)3月(yue)全(quan)球(qiu)率(shuai)先(xian)向(xiang)客(ke)戶(hu)供(gong)應(ying)8層(ceng)HBM3E後(hou)，僅(jin)時(shi)隔(ge)6個(ge)月(yue)再(zai)次(ci)展(zhan)現(xian)出(chu)其(qi)壓(ya)倒(dao)性(xing)的(di)技(ji)術(zhu)實(shi)力(li)。

公(gong)司(si)還(huan)堆(dui)疊(die)12顆(ke)3GB DRAM芯(xin)片(pian)，實(shi)現(xian)與(yu)現(xian)有(you)的(di)8層(ceng)產(chan)品(pin)相(xiang)同(tong)的(di)厚(hou)度(duo)，同(tong)時(shi)容(rong)量(liang)提(ti)升(sheng)50%。為(wei)此(ci)，公(gong)司(si)將(qiang)單(shan)個(ge)DRAM芯(xin)片(pian)製(zhi)造(zao)得(dei)比(bi)以(yi)前(qian)薄(bao)40%，並(bing)采(cai)用(yong)矽(gui)通(tong)孔(kong)技(ji)術(zhu)（TSV）技(ji)術(zhu)垂(chui)直(zhi)堆(dui)疊(die)。

SK海(hai)力(li)士(shi)也(ye)解(xie)決(jue)了(liao)在(zai)將(qiang)變(bian)薄(bao)的(di)芯(xin)片(pian)堆(dui)疊(die)更(geng)多(duo)時(shi)產(chan)生(sheng)的(di)結(jie)構(gou)性(xing)問(wen)題(ti)。公(gong)司(si)將(qiang)其(qi)核(he)心(xin)技(ji)術(zhu)先(xian)進(jin)MR-MUF5工(gong)藝(yi)應(ying)用(yong)到(dao)此(ci)次(ci)產(chan)品(pin)中(zhong)，放(fang)熱(re)性(xing)能(neng)較(jiao)前(qian)一(yi)代(dai)提(ti)升(sheng)了(liao)10%，並(bing)增(zeng)強(jiang)了(liao)控(kong)製(zhi)翹(qiao)曲(qu)問(wen)題(ti)，從(zong)而(er)確(que)保(bao)了(liao)穩(wen)定(ding)性(xing)和(hu)可(ke)靠(kao)性(xing)。

6.英(ying)飛(fei)淩(ling)擴(kuo)展(zhan)OptiMOS 6 MOSFET產(chan)品(pin)組(zu)合(ge)

英(ying)飛(fei)淩(ling)通(tong)過(guo)新(xin)的(di)135 V和(hu)150 V產(chan)品(pin)係(ji)列(lie)，擴(kuo)展(zhan)了(liao)其(qi)OptiMOS 6 MOSFET產(chan)品(pin)組(zu)合(ge)。這(zhe)些(xie)器(qi)件(jian)旨(zhi)在(zai)滿(man)足(ju)驅(qu)動(dong)器(qi)和(hu)開(kai)關(guan)模(mu)式(shi)電(dian)源(yuan)（SMPS）應(ying)用(yong)的(di)要(yao)求(qiu)，並(bing)補(bu)充(chong)最(zui)近(jin)發(fa)布(bu)的(di)OptiMOS 6 120 V MOSFET。

與(yu)上(shang)一(yi)代(dai)（OptiMOS 5 150 V MOSFET）相(xiang)比(bi)，新(xin)係(ji)列(lie)的(di)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)R DS（on）降(xiang)低(di)了(liao)50%，而(er)FOM g降(xiang)低(di)了(liao)20%。憑(ping)借(jie)極(ji)低(di)的(di)R DS（on）、改(gai)進(jin)的(di)開(kai)關(guan)性(xing)能(neng)和(hu)出(chu)色(shai)的(di)EMI性(xing)能(neng)，這(zhe)兩(liang)個(ge)新(xin)係(ji)列(lie)都(du)提(ti)供(gong)了(liao)無(wu)與(yu)倫(lun)比(bi)的(di)效(xiao)率(shuai)、功(gong)率(shuai)密(mi)度(duo)和(hu)可(ke)靠(kao)性(xing)。更(geng)快(kuai)、更(geng)柔(rou)軟(ruan)的(di)體(ti)二(er)極(ji)管(guan)可(ke)降(xiang)低(di)高(gao)達(da)59%的(di)Q rr，減(jian)少(shao)過(guo)衝(chong)和(hu)振(zhen)鈴(ling)。

OptiMOS 6 135 V和(hu)150 V MOSFET有(you)各(ge)種(zhong)封(feng)裝(zhuang)可(ke)供(gong)選(xuan)擇(ze)，包(bao)括(kuo)TO-220、D 2PAK 3針(zhen)、D 2PAK7針(zhen)、TOLL、TOLG、TOLT、SuperSO8 5x6和(hu)PQFN 3.3x3.3。

7.ST公(gong)布(bu)第(di)四(si)代(dai)SiC MOSFET技(ji)術(zhu)平(ping)台(tai)，麵(mian)向(xiang)電(dian)動(dong)車(ju)牽(qian)引(yin)逆(ni)變(bian)器(qi)

意(yi)法(fa)半(ban)導(dao)體(ti)（ST）日(ri)前(qian)宣(xuan)布(bu)，正(zheng)在(zai)推(tui)出(chu)其(qi)第(di)四(si)代(dai)碳(tan)化(hua)矽(gui)（SiC）MOSFET技(ji)術(zhu)。第(di)四(si)代(dai)技(ji)術(zhu)在(zai)能(neng)效(xiao)、功(gong)率(shuai)密(mi)度(duo)和(hu)魯(lu)棒(bang)性(xing)方(fang)麵(mian)帶(dai)來(lai)了(liao)新(xin)的(di)基(ji)準(zhun)。在(zai)滿(man)足(ju)汽(qi)車(ju)和(hu)工(gong)業(ye)市(shi)場(chang)需(xu)求(qiu)的(di)同(tong)時(shi)，新(xin)技(ji)術(zhu)特(te)別(bie)針(zhen)對(dui)牽(qian)引(yin)逆(ni)變(bian)器(qi)進(jin)行(hang)了(liao)優(you)化(hua)，牽(qian)引(yin)逆(ni)變(bian)器(qi)是(shi)電(dian)動(dong)汽(qi)車(ju)動(dong)力(li)係(ji)統(tong)的(di)關(guan)鍵(jian)部(bu)件(jian)。作(zuo)為(wei)對(dui)創(chuang)新(xin)的(di)承(cheng)諾(nuo)，ST計(ji)劃(hua)在(zai)2027年(nian)之(zhi)前(qian)引(yin)入(ru)更(geng)先(xian)進(jin)的(di)SiC技(ji)術(zhu)創(chuang)新(xin)。

ST已(yi)完(wan)成(cheng)第(di)四(si)代(dai)SiC技(ji)術(zhu)平(ping)台(tai)750V級(ji)的(di)資(zi)格(ge)認(ren)證(zheng)，預(yu)計(ji)將(qiang)於(yu)2025年(nian)第(di)一(yi)季(ji)度(duo)完(wan)成(cheng)1200V級(ji)的(di)資(zi)質(zhi)認(ren)證(zheng)。標(biao)稱(chen)額(e)定(ding)電(dian)壓(ya)為(wei)750V和(hu)1200V的(di)設(she)備(bei)將(qiang)投(tou)入(ru)商(shang)業(ye)使(shi)用(yong)，使(shi)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)能(neng)夠(gou)解(xie)決(jue)從(zong)標(biao)準(zhun)交(jiao)流(liu)線(xian)電(dian)壓(ya)到(dao)高(gao)壓(ya)電(dian)動(dong)汽(qi)車(ju)電(dian)池(chi)和(hu)充(chong)電(dian)器(qi)的(di)應(ying)用(yong)。

8.創(chuang)意(yi)電(dian)子(zi)3納(na)米(mi)HBM3E內(nei)存(cun)控(kong)製(zhi)器(qi)與(yu)PHY IP獲(huo)得(dei)應(ying)用(yong)

據(ju)IT之(zhi)家(jia)消(xiao)息(xi)，創(chuang)意(yi)電(dian)子(zi)GUC宣(xuan)布(bu)其(qi)3nm工(gong)藝(yi)HBM3E內(nei)存(cun)控(kong)製(zhi)器(qi)與(yu)PHY IP已(yi)獲(huo)業(ye)界(jie)重(chong)要(yao)CSP雲(yun)服(fu)務(wu)提(ti)供(gong)商(shang)和(hu)多(duo)家(jia)HPC解(xie)決(jue)方(fang)案(an)供(gong)應(ying)商(shang)采(cai)用(yong)，該(gai)ASIC預(yu)計(ji)將(qiang)於(yu)今(jin)年(nian)流(liu)片(pian)，支(zhi)持(chi)9.2Gbps HBM3E內(nei)存(cun)。創(chuang)意(yi)電(dian)子(zi)是(shi)重(chong)要(yao)ASIC設(she)計(ji)服(fu)務(wu)廠(han)商(shang)之(zhi)一(yi)，其(qi)最(zui)大(dai)股(gu)東(dong)（持(chi)股(gu)35%）和(hu)唯(wei)一(yi)晶(jing)圓(yuan)代(dai)工(gong)廠(han)商(shang)皆(jie)是(shi)台(tai)積(ji)電(dian)。

創(chuang)意(yi)電(dian)子(zi)的(di)HBM3E IP已(yi)通(tong)過(guo)台(tai)積(ji)電(dian)N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P製(zhi)程(cheng)的(di)驗(yan)證(zheng)，與(yu)所(suo)有(you)主(zhu)流(liu)HBM3廠(han)商(shang)產(chan)品(pin)兼(jian)容(rong)，且(qie)在(zai)CoWoS-S及(ji)CoWoS-R封(feng)裝(zhuang)上(shang)都(du)進(jin)行(hang)了(liao)流(liu)片(pian)驗(yan)證(zheng)。除(chu)HBM3E以(yi)外(wai)，創(chuang)意(yi)電(dian)子(zi)也(ye)積(ji)極(ji)與(yu)美(mei)光(guang)等(deng)HBM內(nei)存(cun)供(gong)應(ying)商(shang)合(ge)作(zuo)，為(wei)下(xia)一(yi)代(dai)AI ASIC開(kai)發(fa)HBM4 IP。