當(dang)前(qian)位(wei)置(zhi): 電(dian)子(zi)元(yuan)器(qi)件(jian)配(pei)單(shan) >> 相(xiang)關(guan)型(xing)號(hao)
IRLR3110ZTRRPBF
MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC
IRLR3717TRRPBF
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC
IKD15N60RAATMA1
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) IGBT PRODUCTS
IRFR18N15DTRRP
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC
IRG4IBC20FDPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V Fast 1-8kHz
IPB60R125CP
MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
IKD10N60RFAATMA1
IKD10N60RAATMA2
IRFR4104TRRPBF
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
IKQ100N60TAXKSA1
IKD06N60RAATMA2
IKD04N60RFAATMA1
IKD03N60RFAATMA1
IKW50N65F5AXKSA1
IRGS6B60KDTRRP
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT
IPD50N04S3-09
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
IPS65R600E6AKMA1
MOSFET LOW POWER_LEGACY
IRGS6B60KTRLPBF
IGBT 晶(jing)體(ti)管(guan) 600V 7AD2PAK
IPI120N04S3-02
MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T
IPB45N06S409ATMA2
MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2
原(yuan)廠(han)芯(xin)片(pian)長(zhang)期(qi)訂(ding)單(shan)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)優(you)勢(shi)貨(huo)源(yuan)：隨(sui)時(shi)現(xian)貨(huo)+極(ji)具(ju)競(jing)爭(zheng)力(li)的(di)價(jia)格(ge) 是(shi)以(yi)終(zhong)端(duan)使(shi)用(yong)（製(zhi)造(zao)工(gong)廠(han)、大(dai)專(zhuan)院(yuan)校(jiao)、研(yan)究(jiu)院(yuan)所(suo)）為(wei)主(zhu)要(yao)客(ke)戶(hu)
友(you)情(qing)鏈(lian)接(jie)
深(shen)圳(zhen)市(shi)宏(hong)欣(xin)微(wei)電(dian)子(zi)科(ke)技(ji)有(you)限(xian)公(gong)司(si)
原(yuan)廠(han)原(yuan)裝(zhuang)正(zheng)品(pin)，備(bei)大(dai)量(liang)庫(ku)存(cun)
7X24小(xiao)時(shi)詢(xun)價(jia)熱(re)線(xian)
0755-82572287
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